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电子元器件详细资料 » IC[20407] » IRFBG30PBF
型号:IRFBG30PBF类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-220-3描述:MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
系列-
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)1000V(1kV)
电流_连续漏极(Id)0a025000C3.1A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C5 欧姆 @ 1.9A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs80nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds980pF @ 25V
功率_最大125W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商设备封装TO-220AB
包装管件

供应商

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深圳市向鸿伟业电子有限公司李先生0755-82561519
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IRFBG30PBF相关型号

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